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电子元器件详细资料 » IC[20492] » IPP60R299CP
型号:IPP60R299CP类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C299 毫欧 @ 6.6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 440µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs29nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1100pF @ 100V
功率_最大96W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3
包装管件

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市芯柏然科技有限公司欧阳0755-82533534
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市翔哲科技有限公司朱18026926850/0755-83247709/0755-83247721
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